Некоторым открытием стало появление на свет уникального в своем роде прототипа модуля памяти DDR3 PC3-19200, совместно разработанного и уже протестированного компаниями Elpida и Buffalo Technology, который еще раз доказывает огромный потенциал производительности памяти типа DDR3. Данная планка построена на базе DRAM-чипов Elpida J1108BASE-MNH-E HYPER, обладающих емкостью 1 Гбит и способных передавать данные на скорости до 2,5 Гбит/с. Стоит отметить, что в процессе создания этих микросхем при формировании проводящих слоев вместо алюминия используется медь, что благотворно сказывается на повышении общей производительности модуля. Чипы изделия функционируют на частоте 2400 МГц с таймингами 11-11-11-34 при напряжении 2,1 В, тогда как при номинальном напряжении 1,5 В, являющимся стандартным для планок памяти DDR3, эти микросхемы работают на частоте 2096 МГц с задержками 9-10-9-24. Ожидается, что производство модулей DDR3 PC3-19200 начнется в ближайшее время.
